第六代10nm節(jié)點(diǎn)DDR5：
SK海力士今天宣布已開發(fā)出全球首款1c DDR5內(nèi)存，速度提升11%，達(dá)到8000MT/s。
DRAM工藝停留在10nm級已經(jīng)很久，歷經(jīng)1α、1β、1γ、1a、1b，到如今的1c已經(jīng)是第六代。各內(nèi)存制造商都在研發(fā)3D DRAM，SK海力士今年在VLSI峰會上公布的研究成果是在5層堆疊上實現(xiàn)了56.1%的良品率，盡管實現(xiàn)了重大突破，但目前尚不具備商業(yè)化的能力，所以短期內(nèi)依然是2D DRAM的天下。
回到SK海力士本次宣布的1c DRAM內(nèi)存上來，它在EUV極紫外的某些工藝中采用新材料，并通過設(shè)計方面的技術(shù)創(chuàng)新，將生產(chǎn)率提高了30%以上。SK海力士表示將在今年內(nèi)準(zhǔn)備好量產(chǎn)1c DDR5，并于明年開始批量出貨。
索尼PS5 Pro外觀曝光或下月上市：
索尼將在下個月底舉辦PlayStation Showcase，屆時可能會發(fā)布新的游戲主機(jī)。Dealabs聲稱已經(jīng)看到了這款新品的包裝，并確認(rèn)名稱正是PS5 Pro。由于版權(quán)原因他們無法直接分享照片，不過畫出了設(shè)計圖：
PS5 Pro的外觀同PS5 Slim類似，正面有電源按鈕和2個USB Type C接口，預(yù)計將配備現(xiàn)有的DualSense無線控制器。據(jù)說PS5 Pro將繼續(xù)使用Zen2架構(gòu)，依舊是8核心16線程，但GPU部分迎來重大提升：基礎(chǔ)架構(gòu)升級至RDNA3，計算單元數(shù)量從36個大幅提升至60個，同時引入RDNA4的光線追蹤特性。16GB GDDR6內(nèi)存的頻率將從14Gbps提升18Gbps。