7月25日消息，根據(jù)集邦咨詢發(fā)布的最新市場研報，蘋果公司正在考慮在其未來的 iPhone 產(chǎn)品中引入 QLC NAND 閃存技術(shù)。這一技術(shù)的應(yīng)用最早可能在 2026 年實現(xiàn)，屆時 iPhone 的內(nèi)置存儲上限將達(dá)到 2TB。
圖源東方IC
QLC NAND，全稱為 Quad-level cells（四層單元），是一種先進(jìn)的閃存技術(shù)，每個存儲單元可以存儲 4 位數(shù)據(jù)。與 TLC NAND（三層單元）相比，QLC NAND 的存儲密度提高了 33%。
盡管 QLC NAND 可能不適合寫入密集型工作負(fù)載，但其高存儲密度使得它成為大容量存儲應(yīng)用的理想選擇。蘋果公司計劃利用這一技術(shù)，提升 iPhone 的存儲能力，使其能夠滿足日益增長的數(shù)據(jù)存儲需求。據(jù)集邦咨詢的預(yù)估，蘋果正在加速推進(jìn) QLC NAND 技術(shù)的應(yīng)用，目標(biāo)是將 iPhone 的內(nèi)置存儲上限提高到 2TB。
蘋果公司還在探索如何利用 NAND 閃存技術(shù)存儲大型語言模型（LLMs），以便在本地運行更多的 AI 任務(wù)。過渡到 QLC NAND 閃存可能有助于提升 Apple Intelligence 的表現(xiàn)，使其能夠更高效地處理復(fù)雜的 AI 計算任務(wù)。